| 出典: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2018年5月1日 (火) 12:41 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。 [歴史] IGBTはサイリスタと同様にP-N-P-Nの4層からなる半導体素子でありながら、サイリスタ動作をさせずにMOSゲートで電流を制御できる素子である。このIGBT動作モードは1968年に山上倖三によって特許公報昭47-21739で最初に提案された。また、1968年にはB.W. Scharf とJ.D. Plummerが4層の横型サイリスタでこのIGBT動作モードを実験的に初めて確認している。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| IGBT | Insulated |
| ái dʒ́iː bíː tíː | ínsəlèitəd |
| アイ ジィー ビー ティー | インソレゥイデドゥ |
| ア́イ ジィ́ー ビ́ー ティ́ー | イ́ンソレゥ̀イデドゥ |
| アイ ジー ビー ティー | インソレーテッド |
| ア́イ ジ́ー ビ́ー ティ́ー | イ́ンソレ̀ーテッド |
| Insulated Gate Bipolar Transistor | [形容詞] |
| ínsəlèitəd géit bɑ̀ipóulər trænzístər | 隔離された |
| インソレゥイティドゥ ゲイツゥ バイポウラゥー トゥラェンジスタゥァ | 絶縁された |
| インソレゥイティドゥ・ゲイツゥ・バイポウラゥー・トゥラェンジスタゥァ | 断熱された |
| イ́ンソレゥ̀イデドゥ・ゲ́イツゥ・バ̀イポ́ウラゥー・トゥラェンジ́スタゥァ | ・ |
| インソレーテッド ゲート バイポーラ トランジスター | Bipolar |
| インソレーテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスター | bɑ̀ipóulər |
| イ́ンソレ̀ーテッド・ゲ́ート・バ̀イポ́ーラ・トランジ́スター | バイポウラゥー |
| 絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスター | バ̀イポ́ウラゥー |
| ぜつえん ゲート バイポーラ トランジスター | バイポーラ |
| 絶縁ゲートバイポーラトランジスター | バ̀イポ́ーラ |
| 絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスター | [形容詞] |
| 絶縁ゲート型バイポーラトランジスター | 双極の |
| P型N型双極の | |
| 二極の | |
| 対局の | |
| 更新日:2024年 1月12日 |