本文へスキップ

パステムは、桐の業務システム開発を支援しています

ICT用語同義語辞典COMPANY


【 「強誘電抵抗変化メモリー」又はそれに関連する用語の意味 】
出典: 抵抗変化型メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年8月6日 (日) 06:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/

 ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、
● 電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい
● 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能
● 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
● 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速
といったデバイスとしての利点がある。

[原理] 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。 ・・・

【強誘電抵抗変化メモリーの同義語と関連語 】
< 1 >
同義語・類義語 関連語・その他
ReRAM CER効果
ɑ́ːr íː rǽm クロスポイント型ReRAM
アゥー イー ラェム 電界誘起巨大抵抗変化
アゥー イー・ラェム
アゥ́ー イ́ー・ラェ́ム Resistance
アール イー ラム rizístəns
アール イー・ラム リィジィスタゥンツ
ア́ール イ́ー・ラ́ム リィジィ́スタゥンツ
レジスタンス
RRAM レジ́スタンス
ɑ́ːr rǽm [名詞]
アゥー ラェム 電気抵抗
アゥー・ラェム
アゥ́ー・ラェ́ム Resistive
アール ラム rizístiv
アール・ラム リィジィスティヴ
ア́ール・ラ́ム リィジィ́スティヴ
レジスティブ
Resistance RAM レジ́スティブ
Resistive RAM [形容詞]
Resistive Random Access Memory 電気抵抗の
rizístiv rǽndəm ǽkses mémri 抵抗性の
リィジィスティヴ ラェンダゥム アクセス メモゥリー
リィジィスティヴ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー access
リィジィ́スティヴ・ラェ́ンダゥム・アェ́クセス・メ́モゥリー ǽkses
レジスティブ ランダム アクセス メモリー アェクセス
レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリー アェ́クセス
レジ́スティブ・ラ́ンダム・ア́クセス・メ́モリー アクセス
抵抗変化メモリー ア́クセス
ていこう へんか メモリー [名詞]
強誘電抵抗変化メモリー 交通手段
きょう ゆうでん ていこう へんか メモリー 交通の便
抵抗変化型メモリー 接近
ていこう へんかがた メモリー 接近手段
抵抗変化型不揮発メモリー [他動詞]
ていこう へんかがた ふきはつ メモリー 立ち入る

入る

接続する

読み書きする

利用可能にする

更新日:2024年 5月18日


【 他のICT用語辞典へ(外部リンク)】

抵抗変化型メモリ (Wikipedia)