出典: 抵抗変化型メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年8月6日 (日) 06:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、 ● 電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい ● 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能 ● 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 ● 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 [原理] 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。 ・・・ |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
ReRAM | CER効果 |
ɑ́ːr íː rǽm | クロスポイント型ReRAM |
アゥー イー ラェム | 電界誘起巨大抵抗変化 |
アゥー イー・ラェム | ・ |
アゥ́ー イ́ー・ラェ́ム | Resistance |
アール イー ラム | rizístəns |
アール イー・ラム | リィジィスタゥンツ |
ア́ール イ́ー・ラ́ム | リィジィ́スタゥンツ |
・ | レジスタンス |
RRAM | レジ́スタンス |
ɑ́ːr rǽm | [名詞] |
アゥー ラェム | 電気抵抗 |
アゥー・ラェム | ・ |
アゥ́ー・ラェ́ム | Resistive |
アール ラム | rizístiv |
アール・ラム | リィジィスティヴ |
ア́ール・ラ́ム | リィジィ́スティヴ |
・ | レジスティブ |
Resistance RAM | レジ́スティブ |
Resistive RAM | [形容詞] |
Resistive Random Access Memory | 電気抵抗の |
rizístiv rǽndəm ǽkses mémri | 抵抗性の |
リィジィスティヴ ラェンダゥム アクセス メモゥリー | ・ |
リィジィスティヴ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー | access |
リィジィ́スティヴ・ラェ́ンダゥム・アェ́クセス・メ́モゥリー | ǽkses |
レジスティブ ランダム アクセス メモリー | アェクセス |
レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリー | アェ́クセス |
レジ́スティブ・ラ́ンダム・ア́クセス・メ́モリー | アクセス |
抵抗変化メモリー | ア́クセス |
ていこう へんか メモリー | [名詞] |
強誘電抵抗変化メモリー | 交通手段 |
きょう ゆうでん ていこう へんか メモリー | 交通の便 |
抵抗変化型メモリー | 接近 |
ていこう へんかがた メモリー | 接近手段 |
抵抗変化型不揮発メモリー | [他動詞] |
ていこう へんかがた ふきはつ メモリー | 立ち入る |
入る | |
接続する | |
読み書きする | |
利用可能にする | |
更新日:2024年 5月18日 |