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【 「絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスター」又はそれに関連する用語の意味 】
出典: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2018年5月1日 (火) 12:41 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/

 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。

[歴史]
 IGBTはサイリスタと同様にP-N-P-Nの4層からなる半導体素子でありながら、サイリスタ動作をさせずにMOSゲートで電流を制御できる素子である。このIGBT動作モードは1968年に山上倖三によって特許公報昭47-21739で最初に提案された。また、1968年にはB.W. Scharf とJ.D. Plummerが4層の横型サイリスタでこのIGBT動作モードを実験的に初めて確認している。 ・・・

【絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスターの同義語と関連語 】
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同義語・類義語 関連語・その他
IGBT Insulated
ái dʒ́iː bíː tíː ínsəlèitəd
アイ ジィー ビー ティー インソレゥイデドゥ
ア́イ ジィ́ー ビ́ー ティ́ー イ́ンソレゥ̀イデドゥ
アイ ジー ビー ティー インソレーテッド
ア́イ ジ́ー ビ́ー ティ́ー イ́ンソレ̀ーテッド
Insulated Gate Bipolar Transistor [形容詞]
ínsəlèitəd géit bɑ̀ipóulər trænzístər 隔離された
インソレゥイティドゥ ゲイツゥ バイポウラゥー トゥラェンジスタゥァ 絶縁された
インソレゥイティドゥ・ゲイツゥ・バイポウラゥー・トゥラェンジスタゥァ 断熱された
イ́ンソレゥ̀イデドゥ・ゲ́イツゥ・バ̀イポ́ウラゥー・トゥラェンジ́スタゥァ
インソレーテッド ゲート バイポーラ トランジスター Bipolar
インソレーテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスター bɑ̀ipóulər
イ́ンソレ̀ーテッド・ゲ́ート・バ̀イポ́ーラ・トランジ́スター バイポウラゥー
絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスター バ̀イポ́ウラゥー
ぜつえん ゲート バイポーラ トランジスター バイポーラ
絶縁ゲートバイポーラトランジスター バ̀イポ́ーラ
絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスター [形容詞]
絶縁ゲート型バイポーラトランジスター 双極の

P型N型双極の

二極の

対局の





































更新日:2024年 1月12日


【 他のICT用語辞典へ(外部リンク)】

IGBTとは? (ROHM SEMICONDUCTOR)
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (Wikipedia)